Моя заявка (0)

FDPC8016S, MOSFETs PowerTrench Power Clip 25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET

FDPC8016S, MOSFETs PowerTrench Power Clip 25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004584574
Артикул
FDPC8016S
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FDPC8016S
Fall Time:
2 ns, 3 ns
Rise Time:
2 ns, 4 ns
Цена по запросу
(от 227,06 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Series:FDPC8016S
Fall Time:2 ns, 3 ns
Rise Time:2 ns, 4 ns
Tradename:PowerTrench SyncFET Power Clip
Вес, г0.21
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:Power-56-8
Transistor Type:2 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:25 nC, 67 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
ОсобенностиTrenchFET
Pd - Power Dissipation:21 W, 42 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-12 V, +12 V
Typical Turn-On Delay Time:8 ns, 13 ns
Typical Turn-Off Delay Time:24 ns, 38 ns
Id - Continuous Drain Current:60 A, 100 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:182 S, 241 S
Rds On - Drain-Source Resistance:1.5 mOhms, 3.9 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.3 V, 1.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе-25 V, +25 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В25
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)21.3 mOhms

Техническая документация