FDP8D5N10C, TO-220 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062310876
- Артикул
- FDP8D5N10C
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 3.12
- Channel Type
- N Channel
- Упаковка
- Tube
- Power Dissipation
- 107Вт
Цена по запросу
(от 346,85 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор FET 100V 76A 8.5 mOhm
Технические параметры
| Вес, г | 3.12 |
| Channel Type | N Channel |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 107Вт |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 4 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 34 nC |
| Время нарастания | 11 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.0074Ом |
| Линейка Продукции | PowerTrench |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 76А |
| Рассеиваемая Мощность | 107Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Pd - рассеивание мощности | 107 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 76 A |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 18 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0074Ом |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 68 S |