Моя заявка (0)

PowerTrench N-Channel MOSFET, 16 A, 30 V, 3-Pin TO-220AB FDP8896

PowerTrench N-Channel MOSFET, 16 A, 30 V, 3-Pin TO-220AB FDP8896

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009694160
Артикул
FDP8896
Бренд
ON Semiconductor***
Width
4.83mm
Series
PowerTrench
Pin Count
3
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 710 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

ON Semi предлагает обширный ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает в себя высоковольтные (>250 В) и низковольтные (<250 В) типы.

Технические параметры

Width4.83mm
SeriesPowerTrench
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220AB
КорпусTO-220AB
Mounting TypeThrough Hole
Product Width4.57mm
Product Height9.02mm
Product Length10.28mm
Supplier PackageTO-220AB
Typical Fall Time44ns
Typical Rise Time103ns
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
разрешениеPower MOSFET
Power Dissipation (Pd)80W
ОсобенностиTrenchFET
Transistor ConfigurationSingle
конфигурацияSingle
Maximum Power Dissipation80 W
Typical Gate Charge @ Vgs48 nC @ 10 V
Typical Turn-On Delay Time9ns
Maximum Gate Source Voltage±20V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-Off Delay Time56ns
Maximum Drain Source Voltage30V
Continuous Drain Current (Id)92A
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55°C
Minimum Gate Threshold Voltage1.2V
Maximum Drain Source Resistance0.0059?
Maximum Continuous Drain Current16A
монтаж (установка)Through Hole
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
максимальная рабочая температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А16
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт80
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)5.9mΩ@8V, 35A

Техническая документация