FDP61N20, Транзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 38,5А, 417Вт, TO220, UniFET™
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017540948
- Артикул
- FDP61N20
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- Power MOSFET
- Type:
- MOSFET
- Width
- 4.83mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
Цена по запросу
(от 318,39 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Type: | MOSFET |
| Width | 4.83mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | UniFET |
| Series: | FDP61N20 |
| Mounting | Through Hole |
| Polarity | N |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 170 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 215 ns |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220AB |
| Rad Hardened | No |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | to220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 417(W) |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 75 nC |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Drain-Source On-Volt | 200(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 417 W |
| Continuous Drain Current | 61(A) |
| Transistor Configuration | Single |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±30(V) |
| Maximum Power Dissipation | 417 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 40 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 125 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 61 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 44.5 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 41 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 61 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 41 mOhms |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
| Пороговое напряжение на затворе | -2…-4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 38.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 417 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |