FDP52N20, Транзистор, UniFET, N-канал, 200В, 52А [TO-220]
![FDP52N20, Транзистор, UniFET, N-канал, 200В, 52А [TO-220]](https://static.epl-electro.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000319091
- Артикул
- FDP52N20
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 2.5
- Корпус
- TO-220
- Структура
- N-Channel
- Пороговое напряжение на затворе
- 4V@250uA
Цена по запросу
(от 313 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N-канальный, 200 В, 52 А, TO-220AB-3; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id:52 А; Напряжение источника стока Vds: 200 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,041 Ом; Испытательное напряжение Rds(on) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs:5 В; Рассеиваемая мощность Pd: 357 Вт; Тип корпуса транзистора: TO-220AB; Количество контактов: 3; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL:-; SVHC:Ведущий (27 июня 2018 г.)
Технические параметры
| Вес, г | 2.5 |
| Корпус | TO-220 |
| Структура | N-Channel |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 52 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 357 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.049 Ом/26А, 10В |