Моя заявка (0)

FDP52N20, Транзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 33А, 357Вт, TO220

FDP52N20, Транзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 33А, 357Вт, TO220

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017540947
Артикул
FDP52N20
Бренд
ON Semiconductor***
RoHS
Details
Type
MOSFET
Brand
ON Semiconductor/Fairchild
Width
4.7 mm
Цена по запросу
(от 289,90 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET, N-канальный, 200 В, 52 А, TO-220AB-3; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id:52 А; Напряжение источника стока Vds: 200 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,041 Ом; Испытательное напряжение Rds(on) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs:5 В; Рассеиваемая мощность Pd: 357 Вт; Тип корпуса транзистора: TO-220AB; Количество контактов: 3; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL:-; SVHC:Ведущий (27 июня 2018 г.)

Технические параметры

RoHSDetails
TypeMOSFET
BrandON Semiconductor/Fairchild
Width4.7 mm
Height16.3 mm
Length10.67 mm
SeriesFDP52N20
Fall Time29 ns
PackagingTube
Rise Time175 ns
TechnologySi
Вес, г2.02
Unit Weight0.063493 oz
Channel ModeEnhancement
ManufacturerON Semiconductor
Корпусto220
ConfigurationSingle
Mounting StyleThrough Hole
Package / CaseTO-220-3
Transistor Type1 N-Channel
Product CategoryMOSFET
Number of Channels1 Channel
СтруктураMOSFET
Transistor PolarityN-Channel
Factory Pack Quantity50
Pd - Power Dissipation357 W
Особенности-
Vgs - Gate-Source Voltage30 V
Typical Turn-On Delay Time53 ns
Typical Turn-Off Delay Time48 ns
Id - Continuous Drain Current52 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Forward Transconductance - Min35 S
Rds On - Drain-Source Resistance49 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage200 V
Крутизна характеристики, S-
Пороговое напряжение на затворе-2…-4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А33
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт357
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±30В

Техническая документация