FDP52N20, MOSFETs 200V N-CHANNEL MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005442787
- Артикул
- FDP52N20
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Type
- MOSFET
- Brand
- ON Semiconductor/Fairchild
- Width
- 4.7 mm
Цена по запросу
(от 326,06 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N-канальный, 200 В, 52 А, TO-220AB-3; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id:52 А; Напряжение источника стока Vds: 200 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,041 Ом; Испытательное напряжение Rds(on) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs:5 В; Рассеиваемая мощность Pd: 357 Вт; Тип корпуса транзистора: TO-220AB; Количество контактов: 3; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL:-; SVHC:Ведущий (27 июня 2018 г.)
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | MOSFET |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Width | 4.7 mm |
| Height | 16.3 mm |
| Length | 10.67 mm |
| Series | FDP52N20 |
| Fall Time | 29 ns |
| Packaging | Tube |
| Rise Time | 175 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Unit Weight | 0.063493 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 50 |
| Pd - Power Dissipation | 357 W |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 53 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 48 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 52 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 35 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 49 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 357 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30В |