FDP51N25, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 30А, 320Вт, TO220-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008523195
- Артикул
- FDP51N25
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- Power MOSFET
- Width
- 4.83mm
- Series
- UniFET
- Mounting
- Through Hole
Цена по запросу
(от 540 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 30А, 320Вт, TO220-3 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Width | 4.83mm |
| Series | UniFET |
| Mounting | Through Hole |
| Polarity | N |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3+Tab |
| Вес, г | 2.03 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Rad Hardened | No |
| Корпус | to220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Power Dissipation | 38(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Drain-Source On-Volt | 250(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Power Dissipation (Pd) | 320W |
| Особенности | - |
| Continuous Drain Current | 51(A) |
| Transistor Configuration | Single |
| Gate-Source Voltage (Max) | '±30(V) |
| Maximum Power Dissipation | 320 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 70nC@10V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 3.41nF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 250 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 51A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 60 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 51 A |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 320 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 60mΩ@10V, 25.5A |