Моя заявка (0)

N-Channel MOSFET, 128 A, 100 V, 3-PIn TO-220 onsemI FDP4D5N10C

N-Channel MOSFET, 128 A, 100 V, 3-PIn TO-220 onsemI FDP4D5N10C

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062310853
Артикул
FDP4D5N10C
Бренд
ON Semiconductor***
Width
4.67mm
Pin Count
3
Вес, г
1.2
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 691,77 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор FET 100V 128A 4.5 mOhm

Технические параметры

Width4.67mm
Pin Count3
Вес, г1.2
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220
Mounting TypeThrough Hole
УпаковкаTube
ТехнологияSi
Forward Diode Voltage1.3V
Вид монтажаThrough Hole
Время спада13 ns
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation150 W
Typical Gate Charge @ Vgs48 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage±20 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокTO-220-3
Maximum Drain Source Voltage100 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Qg - заряд затвора68 nC
Maximum Drain Source Resistance4.5 mΩ
Время нарастания49 ns
Maximum Continuous Drain Current128 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности150 W
Id - непрерывный ток утечки128 A
Размер фабричной упаковки800
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток4.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения41 ns
Типичное время задержки при включении29 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.134 S

Техническая документация