FDP4D5N10C, Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002327969
- Артикул
- FDP4D5N10C
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 4.67mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 640 ₽)
Минимальный заказ: 47 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор FET 100V 128A 4.5 mOhm
Технические параметры
| Width | 4.67mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Корпус | TO-220AB |
| Mounting Type | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.3V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 13 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Qg - заряд затвора | 68 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 4.5 mΩ |
| Время нарастания | 49 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 128 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 150 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 128 A |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 41 ns |
| Типичное время задержки при включении | 29 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 128 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 134 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |