Моя заявка (0)

FDP39N20, 200V 39A 66mOhm@10V,19.5A 251W 5V@250uA N Channel TO-220 MOSFETs

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017606573
Артикул
FDP39N20
Бренд
ON Semiconductor***
Type
1PCSNChannel
Mounting
Through Hole
Polarity
N
Packaging
Rail/Tube
Цена по запросу
(от 212,44 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

200 В 39 А 66 Мом при 10 В, 19,5 А 251 Вт 5 В при 250uA 1 шт. одноканальныx МОП-транзисторов TO-220 ROHS

Технические параметры

Type1PCSNChannel
MountingThrough Hole
PolarityN
PackagingRail/Tube
Pin Count3+Tab
Вес, г2.16
Channel ModeEnhancement
Package TypeTO-220
Rad HardenedNo
КорпусTO-220
Power Dissipation251(W)
Number of Elements1
СтруктураN-Channel
Drain-Source On-Volt200(V)
Operating Temp Range-55C to 150C
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)251W
Особенности-
Continuous Drain Current39(A)
Gate-Source Voltage (Max)±30(V)
Total Gate Charge (Qg@Vgs)49nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)2.13nF@25V
Continuous Drain Current (Id)39A
Operating Temperature ClassificationMilitary
Пороговое напряжение на затворе5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А39
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт251
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)66mΩ@10V, 19.5A