FDP3652, Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002308253
- Артикул
- FDP3652
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Fall Time:
- 45 ns
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 271 ₽)
Минимальный заказ: 40 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Fall Time: | 45 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 85 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | FDP3652_NL |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 41 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 150 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 61 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 14 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |