Моя заявка (0)

FDP2710,Power MOSFET, N Channel, 250 V, 50 A, 0.0363 ohm, TO-220, Through Hole

FDP2710,Power MOSFET, N Channel, 250 V, 50 A, 0.0363 ohm, TO-220, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8003141342
Артикул
FDP2710
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FDP2710
Fall Time:
154 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 674 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы PowerTrench® МОП-транзисторы onsemi / Fairchild PowerTrench ® предлагают широкий ассортимент МОП-транзисторов в отрасли. Эти MOSFET-транзисторы имеют как N-канальную, так и P-канальную версии, оптимизированные для работы при низкиx частотаx включения и повышенной надежности. Типичные области применения включают переключатели нагрузки, первичную коммутацию, мобильные компьютеры, преобразователи постоянного тока в постоянный и синxронные выпрямители.

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Series:FDP2710
Fall Time:154 ns
Packaging:Tube
Rise Time:252 ns
Tradename:PowerTrench
Вес, г2
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
КорпусTO-220
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:101 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:260 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:80 ns
Typical Turn-Off Delay Time:112 ns
Id - Continuous Drain Current:50 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:42 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:250 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:50
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А50
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт260
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0363 Ом

Техническая документация