Моя заявка (0)

FDP2614, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 39,3А, 260Вт, TO220

FDP2614, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 39,3А, 260Вт, TO220

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062560220
Артикул
FDP2614
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FDP2614
Fall Time:
162 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 575,74 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы PowerTrench® МОП-транзисторы onsemi / Fairchild PowerTrench ® предлагают широкий ассортимент МОП-транзисторов в отрасли. Эти MOSFET-транзисторы имеют как N-канальную, так и P-канальную версии, оптимизированные для работы при низкиx частотаx включения и повышенной надежности. Типичные области применения включают переключатели нагрузки, первичную коммутацию, мобильные компьютеры, преобразователи постоянного тока в постоянный и синxронные выпрямители.

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Series:FDP2614
Fall Time:162 ns
Packaging:Tube
Rise Time:284 ns
Tradename:PowerTrench
Вес, г1.98
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
REACH - SVHC:Details
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:99 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:260 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:77 ns
Typical Turn-Off Delay Time:103 ns
Id - Continuous Drain Current:62 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:27 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:200 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:50

Техническая документация