FDP2614, MOSFETs 200V N-Channel PowerTrench
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833847
- Артикул
- FDP2614
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FDP2614
- Fall Time:
- 162 ns
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 551,79 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 39,3А, 260Вт, TO220
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FDP2614 |
| Fall Time: | 162 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 284 ns |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 4 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| REACH - SVHC: | Details |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 99 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | TrenchFET |
| Pd - Power Dissipation: | 260 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 77 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 103 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 62 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 27 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 260 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |