Моя заявка (0)
FDP2552, MOSFETs 150V N-Ch UltraFET Trench

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004833845
Артикул
FDP2552
Бренд
ON Semiconductor***
Type:
MOSFET
Width
4.83mm
Brand:
onsemi/Fairchild
Series
PowerTrench
Цена по запросу
(от 259,18 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.

Технические параметры

Type:MOSFET
Width4.83mm
Brand:onsemi/Fairchild
SeriesPowerTrench
Series:FDP2552
Pin Count3
Fall Time:29 ns
Packaging:Tube
Rise Time:29 ns
Tradename:PowerTrench
Вес, г1
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220AB
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220-3
Part # Aliases:FDP2552_NL
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:51 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:150 W
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation150 W
Typical Gate Charge @ Vgs39 nC @ 10 V
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:12 ns
Maximum Drain Source Voltage150 V
Typical Turn-Off Delay Time:36 ns
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Id - Continuous Drain Current:37 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance36 mΩ
Maximum Continuous Drain Current5 A
Rds On - Drain-Source Resistance:32 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:150 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:50

Техническая документация