FDP2532, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 150В, 56А, 310Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024688853
- Артикул
- FDP2532
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Тип
- MOSFET
- Вес, г
- 2.01
- Длина
- 10.67 mm
- Серия
- FDP2532
Цена по запросу
(от 493 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 150V NCh UltraFET Power Trench
Технические параметры
| Тип | MOSFET |
| Вес, г | 2.01 |
| Длина | 10.67 mm |
| Серия | FDP2532 |
| Высота | 16.3 mm |
| Ширина | 4.7 mm |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 17 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 107 nC |
| Время нарастания | 30 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 310 W |
| Другие названия товара № | FDP2532_NL |
| Id - непрерывный ток утечки | 79 A |
| Коммерческое обозначение | PowerTrench |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 16 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 39 ns |
| Типичное время задержки при включении | 16 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |