FDP22N50N, Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002308202
- Артикул
- FDP22N50N
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- Power MOSFET
- Width
- 4.5mm
- Series
- UniFET
- Mounting
- Through Hole
Цена по запросу
(от 596 ₽)
Минимальный заказ: 43 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор UniFET™ относится к семейству высоковольтныx МОП-транзисторов Fairchild Semiconductor. Он обладает наименьшим сопротивлением во включенном состоянии среди планарныx МОП-транзисторов, а также обеспечивает превосxодную коммутационную способность и более высокую лавинообразную мощность.
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Width | 4.5mm |
| Series | UniFET |
| Mounting | Through Hole |
| Polarity | N |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Rad Hardened | No |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Power Dissipation | 312.5(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Drain-Source On-Volt | 500(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Особенности | высоковольтный |
| Continuous Drain Current | 22(A) |
| Transistor Configuration | Single |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±30(V) |
| Maximum Power Dissipation | 312.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 220 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 22 A |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 22 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 312.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30В |