FDP20N50F, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062933191
- Артикул
- FDP20N50F
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 2.07
- Длина
- 10.67 mm
- Серия
- FDP20N50F
- Высота
- 16.3 mm
Цена по запросу
(от 395,46 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 500V N-Channel
Технические параметры
| Вес, г | 2.07 |
| Длина | 10.67 mm |
| Серия | FDP20N50F |
| Высота | 16.3 mm |
| Ширина | 4.7 mm |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 60 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 65 nC |
| Время нарастания | 120 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Коммерческое обозначение | UniFET |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 260 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 100 ns |
| Типичное время задержки при включении | 45 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |