Моя заявка (0)
FDP16AN08A0, MOSFETs 75V 58a 0.016 Ohms/VGS=10V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006266779
Артикул
FDP16AN08A0
Бренд
ON Semiconductor***
Тип
MOSFET
Вес, г
1.8
Длина
10.67 mm
Серия
FDP16AN08A0
Цена по запросу
(от 400 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 75V 58a 0.016 Ohms/VGS=10V

Технические параметры

ТипMOSFET
Вес, г1.8
Длина10.67 mm
СерияFDP16AN08A0
Высота16.3 mm
Ширина4.7 mm
УпаковкаTube
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада30 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокTO-220-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора42 nC
Время нарастания82 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности135 W
Id - непрерывный ток утечки58 A
Коммерческое обозначениеPowerTrench
Размер фабричной упаковки800
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток13 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток75 V
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения28 ns
Типичное время задержки при включении8 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А16
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.016 Ом

Техническая документация