FDP150N10, Н-Ч 100В 57А 110Вт 0,015Р ТО219
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008523198
- Артикул
- FDP150N10
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- Power MOSFET
- Mounting
- Through Hole
- Polarity
- N
- Packaging
- Rail/Tube
Цена по запросу
(от 390 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Н-Ч 100В 57А 110Вт 0,015Р ТО219
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Mounting | Through Hole |
| Polarity | N |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3+Tab |
| Вес, г | 2.03 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Package Type | TO-220 |
| Rad Hardened | No |
| Power Dissipation | 110(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Drain-Source On-Volt | 100(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Особенности | - |
| Continuous Drain Current | 57(A) |
| Gate-Source Voltage (Max) | '±20(V) |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Крутизна характеристики, S | 156 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 57 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |