FDP100N10, MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061942234
- Артикул
- FDP100N10
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1.95
- Длина
- 10.67 mm
- Серия
- FDP100N10
- Высота
- 16.3 mm
Цена по запросу
(от 431,95 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 100V N-Channel PowerTrench
Технические параметры
| Вес, г | 1.95 |
| Длина | 10.67 mm |
| Серия | FDP100N10 |
| Высота | 16.3 mm |
| Ширина | 4.7 mm |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 115 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 100 nC |
| Время нарастания | 265 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 208 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 75 A |
| Коммерческое обозначение | PowerTrench |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 10 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 125 ns |
| Типичное время задержки при включении | 70 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |