FDP083N15A-F102, Power MOSFET, N Channel, 150 V, 117 A, 0.00685 ohm, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8305528020
- Артикул
- FDP083N15A-F102
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Series
- PowerTrenchВ®
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Tube
- Vgs (Max)
- В±20V
Цена по запросу
(от 730 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 150В, 83А, 294Вт, TO220-3 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Series | PowerTrenchВ® |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Tube |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 3.003 |
| Длина | 10.67 mm |
| Серия | FDP083N15A |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Высота | 16.3 mm |
| Корпус | TO-220 |
| Ширина | 4.7 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Упаковка | Tube |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 26 ns |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3mOhm @ 75A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 294W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 84nC @ 10V |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Qg - заряд затвора | 64.5 nC |
| Время нарастания | 58 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6040pF @ 25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 83A(Tc) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 231 W |
| Другие названия товара № | FDP083N15A_F102 |
| Id - непрерывный ток утечки | 105 A |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 6.85 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 15 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 139 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 294 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.00685 Ом |