Моя заявка (0)
FDP054N10, TO-220 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062413910
Артикул
FDP054N10
Бренд
ON Semiconductor***
Series
PowerTrenchВ®
FET Type
N-Channel
Packaging
Tube
Vgs (Max)
В±20V
Цена по запросу
(от 556,38 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 100V N-Chan PowerTrench МОП-транзистор

Технические параметры

SeriesPowerTrenchВ®
FET TypeN-Channel
PackagingTube
Vgs (Max)В±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г2.95
Длина10.67 mm
СерияFDP054N10
FET Feature-
Part StatusActive
ManufacturerON Semiconductor
Высота16.3 mm
Ширина4.7 mm
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-3
УпаковкаTube
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250ВµA
ТехнологияSi
Operating Temperature-55В°C ~ 175В°C(TJ)
Вид монтажаThrough Hole
Время спада39 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max)263W(Tc)
Supplier Device PackageTO-220-3
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокTO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs203nC @ 10V
Тип транзистора1 N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Qg - заряд затвора156 nC
Время нарастания92 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13280pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C120A(Tc)
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности263 W
Id - непрерывный ток утечки144 A
Коммерческое обозначениеPowerTrench
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток5.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения80 ns
Типичное время задержки при включении44 ns
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.192 S

Техническая документация