FDP053N08B-F102, MOSFETs Smart Power Module
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005442781
- Артикул
- FDP053N08B-F102
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1.8
- Длина
- 10.67 mm
- Серия
- FDP053N08B
- Высота
- 16.3 mm
Цена по запросу
(от 246,90 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Smart Power Module
Технические параметры
| Вес, г | 1.8 |
| Длина | 10.67 mm |
| Серия | FDP053N08B |
| Высота | 16.3 mm |
| Ширина | 4.7 mm |
| Упаковка | Tube |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 16 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 65.4 nC |
| Время нарастания | 30 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 146 W |
| Другие названия товара № | FDP053N08B_F102 |
| Id - непрерывный ток утечки | 120 A |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5.3 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 44 ns |
| Типичное время задержки при включении | 32 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 100 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 146 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |