FDP047AN08A0, Транзистор: N-MOSFET; 75В; 80А; 310Вт; TO220
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007486970
- Артикул
- FDP047AN08A0
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- TO220-3
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FDP047AN08A0
Цена по запросу
(от 530 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | TO220-3 |
| Type: | MOSFET |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FDP047AN08A0 |
| Mounting | THT |
| Fall Time: | 45 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 88 ns |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | to220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 80A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Part # Aliases: | FDP047AN08A0_NL |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 310W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 92 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 11mΩ |
| Drain-source voltage | 75V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 310 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 18 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 40 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 75 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
| Пороговое напряжение на затворе | -2…-4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 75 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 47 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 310 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |