FDP038AN06A0, MOSFETs 60V 80a .38 Ohms/VGS=1V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833821
- Артикул
- FDP038AN06A0
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- RoHS
- Details
- Type
- MOSFET
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N; Полярность транзистора: N каналов; Постоянный ток стока Id: 80 А; Напряжение источника стока Vds: 60 В; Сопротивление включения Rds (вкл.): 0,0035 Ом; Испытательное напряжение Rds (вкл.) Vgs: 10 В; Пороговое напряжение Vgs: 4 В; Рассеиваемая мощность Pd: 310 Вт; Тип корпуса транзистора:TO-220AB; Количество контактов:3; Максимальная рабочая температура: 175°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL:-; SVHC: Вывод (27 июня 2018 г.); Максимальный ток: 80 А; Минимальная рабочая температура:-55°C; Рабочая температура Диапазон температур: от -55°C до +175°C; Тип соединения: сквозное отверстие; Тип напряжения Vds: 60 В; Максимальное напряжение Vgs: 4 В; Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| RoHS | Details |
| Type | MOSFET |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Width | 4.7 mm |
| Height | 16.3 mm |
| Length | 10.67 mm |
| Series | FDP038AN06A0 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Fall Time | 60 ns |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 144 ns |
| Tradename | PowerTrench |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Technology | Si |
| Вес, г | 9 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Unit Weight | 0.063493 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part # Aliases | FDP038AN06A0_NL |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Supplier Package | TO-220 |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Process Technology | TMOS |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 50 |
| Standard Package Name | TO |
| Pd - Power Dissipation | 310 W |
| Typical Fall Time (ns) | 60 |
| Typical Rise Time (ns) | 144 |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 17 ns |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 34 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 80 A |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 310000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 96 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 96@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 17 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.8 mOhms |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 34 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 17 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 6400@25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 3.8@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 38 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 310 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 38 Ом |