PowerTrench N-Channel MOSFET, 214 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB FDP036N10A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8010429983
- Артикул
- FDP036N10A
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series
- PowerTrench
- Series:
- FDP036N10A
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 850 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | PowerTrench |
| Series: | FDP036N10A |
| Pin Count | 3 |
| Packaging: | Tube |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 5 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220AB |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-220AB |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| REACH - SVHC: | Details |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 89 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | TrenchFET |
| Pd - Power Dissipation: | 227 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 333 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 89 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 176 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 167 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.6 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 214 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.6 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 214 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 333 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |