FDP032N08B-F102, MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET 80V, 211A, 3.3mO
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005442780
- Артикул
- FDP032N08B-F102
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Fall Time:
- 31 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 44 ns
Цена по запросу
(от 336,51 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием onsemi Cloud Power Management повышают эффективность при одновременном упрощении проектирования системы, сокращении места на плате, повышении надежности и ускорении вывода на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии ежедневно потребляемой энергии.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Fall Time: | 31 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 44 ns |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | FDP032N08B_F102 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 111 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Особенности | TrenchFET |
| Pd - Power Dissipation: | 263 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 38 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 71 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 211 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 168 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.85 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 211 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 263 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |