FDP030N06B-F102, MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 195A, 3.1mO
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004584569
- Артикул
- FDP030N06B-F102
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 268,94 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Series: | FDP030N06B_F102 |
| Material | Si |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 23 ns |
| Lead Shape | Through Hole |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 33 ns |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 2.5 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | FDP030N06B_F102 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 76 nC |
| Process Technology | TMOS |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | TO |
| Typical Fall Time (ns) | 23 |
| Typical Rise Time (ns) | 33 |
| Особенности | TrenchFET |
| Pd - Power Dissipation: | 205 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 32 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 56 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 195 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 205000 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 76 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 76@10V |
| Forward Transconductance - Min: | 206 S |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 32 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 56 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.67 mOhms |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 195 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 6035@30V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 3.1@10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 195 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 205 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |