FDP030N06, PowerTrench Type N-Channel MOSFET, 193 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014478124
- Артикул
- FDP030N06
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 4.7mm
- Series
- PowerTrench
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 590 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ON Semi предлагает обширный ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает в себя высоковольтные (>250 В) и низковольтные (<250 В) типы.
Технические параметры
| Width | 4.7mm |
| Series | PowerTrench |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | TrenchFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 231 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 116 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.2 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 120 A, 193 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 120 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |