FDP020N06B-F102, 60V 313A 1.65mOhm@10V,100A 333W 3.3V@250uA 127pF@30V N Channel 16.1nF@30V 206nC@10V -55°C~+175°C@(Tj) TO-220 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062029879
- Артикул
- FDP020N06B-F102
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FDP020N06B
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 2.77
Цена по запросу
(от 667,48 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FDP020N06B |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 2.77 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Part # Aliases: | FDP020N06B_F102 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 268 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 333 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 313 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.65 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |