Моя заявка (0)

FDN86501LZ, MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET60 V, 2.6 A, 116 mO

FDN86501LZ, MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET60 V, 2.6 A, 116 mO

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004833814
Артикул
FDN86501LZ
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
7
Длина
2.9 mm
Серия
FDN86501LZ
Channel Type
N Channel
Цена по запросу
(от 255,71 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор FET 100V 116.0 MOHM SSOT3

Технические параметры

Вес, г7
Длина2.9 mm
СерияFDN86501LZ
Channel TypeN Channel
Высота1.12 mm
Ширина1.4 mm
Power Dissipation1.5Вт
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада1.2 ns
ОсобенностиTrenchFET
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокSSOT-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-channel
Qg - заряд затвора3.8 nC
Время нарастания1.2 ns
Drain Source On State Resistance0.089Ом
Линейка ПродукцииPowerTrench
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока2.6А
Рассеиваемая Мощность1.5Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs1.9В
Pd - рассеивание мощности1.5 W
Id - непрерывный ток утечки2.6 A
Коммерческое обозначениеPowerTrench
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораSuperSOT
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток198 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения9.6 ns
Типичное время задержки при включении4.4 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.089Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация