FDN86265P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,8А; 1,5Вт; SuperSOT-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8066940430
- Артикул
- FDN86265P
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 1.4mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series
- PowerTrench
- Series:
- FDN86265P
Цена по запросу
(от 134,42 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Width | 1.4mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | PowerTrench |
| Series: | FDN86265P |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 9.9 ns |
| Rise Time: | 2.2 ns |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SSOT-3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 2.9 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 1.5 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2.9 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.7 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 7.9 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 800 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 1.5 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.2 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 800 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.2 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |