Моя заявка (0)

FDN8601, Power MOSFET, N Channel, 100 V, 2.7 A, 0.0854 ohm, SuperSOT, Surface Mount

FDN8601, Power MOSFET, N Channel, 100 V, 2.7 A, 0.0854 ohm, SuperSOT, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8729780022
Артикул
FDN8601
Бренд
ON Semiconductor***
Width
2.92mm
Series
PowerTrench
Pin Count
3
Вес, г
0.052
Цена по запросу
(от 101 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 100V N-Channel PowerTrench МОП-транзистор

Технические параметры

Width2.92mm
SeriesPowerTrench
Pin Count3
Вес, г0.052
Длина2.9 mm
СерияFDN8601
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSOT-23
Высота1.12 mm
Ширина1.4 mm
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада3.4 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation1.5 W
Typical Gate Charge @ Vgs3 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокSSOT-3
Maximum Drain Source Voltage100 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Тип транзистора1 N-Channel
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Qg - заряд затвора3 nC
Maximum Drain Source Resistance183 mΩ
Время нарастания1.3 ns
Maximum Continuous Drain Current2.7 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности1.5 W
Id - непрерывный ток утечки2.7 A
Коммерческое обозначениеPowerTrench
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток85.4 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.7
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.8 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0854 Ом

Техническая документация