FDN5632N-F085, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,7А; 1,1Вт; SuperSOT-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024970152
- Артикул
- FDN5632N-F085
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- N Channel
- Type:
- Power Trench MOSFET
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Product:
- MOSFET Small Signals
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
60 В 1,7 А 57 Мом при 10 В, 1,7 А 1,1 Вт 3 В при 250uA N-канальные МОП-транзисторы SOT-23-3 ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Type: | Power Trench MOSFET |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Fall Time: | 1.3 ns |
| Rise Time: | 1.7 ns |
| Вес, г | 0.03 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | SSOT-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | FDN5632N_F085 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 12 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 1.1W |
| Особенности | depletion-mode fet |
| Pd - Power Dissipation: | 1.1 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 12nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 475pF@15V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 5.2 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 1.7A |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 98 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 30pF@15V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 57mΩ@10V, 1.7A |