Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025171581
Артикул
FDN5630
Бренд
HXY MOSFET
Вес, г
0.04
Корпус
SOT-23
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
500mW
Цена по запросу
(от 12 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.04
КорпусSOT-23
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)500mW
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)10nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)400pF@15V
Continuous Drain Current (Id)1.7A
Крутизна характеристики, S5
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)100mΩ@1.7A, 10V