Моя заявка (0)

FDN5630, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 1,7А, 500мВт, SuperSOT-3

FDN5630, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 1,7А, 500мВт, SuperSOT-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8022601442
Артикул
FDN5630
Бренд
ON Semiconductor***
Case
SuperSOT-3
RoHS
Details
Type
MOSFET
Brand
ON Semiconductor/Fairchild
Цена по запросу
(от 27,60 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 1,7А, 500мВт, SuperSOT-3

Технические параметры

CaseSuperSOT-3
RoHSDetails
TypeMOSFET
BrandON Semiconductor/Fairchild
Width1.4 mm
Height1.12 mm
Length2.9 mm
SeriesFDN5630
ProductMOSFET Small Signal
MountingSMD
Fall Time6 ns
PackagingReel
Rise Time6 ns
TradenamePowerTrench
TechnologySi
Вес, г0.03
Gate charge10nC
Unit Weight0.001058 oz
Channel ModeEnhancement
ManufacturerON Semiconductor
Polarisationunipolar
ConfigurationSingle
Drain current1.7A
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSSOT-3
Part # AliasesFDN5630_NL
Kind of channelenhanced
Kind of packagereel, tape
Transistor Type1 N-Channel
Product CategoryMOSFET
Power dissipation0.5W
Number of Channels1 Channel
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.18Ω
Transistor PolarityN-Channel
Drain-source voltage60V
Factory Pack Quantity3000
Pd - Power Dissipation500 mW(1/2 W)
Особенности-
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
Typical Turn-On Delay Time10 ns
Typical Turn-Off Delay Time15 ns
Id - Continuous Drain Current1.7 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Forward Transconductance - Min6 S
Rds On - Drain-Source Resistance73 mOhms
Features of semiconductor deviceslogic level
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage60 V
Крутизна характеристики, S5
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация