FDN537N, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8023245653
- Артикул
- FDN537N
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 1.4mm
- Series
- PowerTrench
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.03
Цена по запросу
(от 105,19 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ON Semi предлагает обширный ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает в себя высоковольтные (>250 В) и низковольтные (<250 В) типы.
Технические параметры
| Width | 1.4mm |
| Series | PowerTrench |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.03 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 6 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 30 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.019 Ом |