FDN360P, Power MOSFET, P Channel, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8240427803
- Артикул
- FDN360P
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Type
- MOSFET
- Brand
- ON Semiconductor/Fairchild
- Width
- 1.4 mm
Цена по запросу
(от 72 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзисторы, диоды,управляемые ключи, сборки и модули SOT23-3
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | MOSFET |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Width | 1.4 mm |
| Height | 1.12 mm |
| Length | 2.9 mm |
| Series | FDN360P |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Fall Time | 13 ns |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 13 ns |
| Tradename | PowerTrench |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.05 |
| Unit Weight | 0.001058 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | SOT-23 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SSOT-3 |
| Part # Aliases | FDN360P_NL |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW(1/2 W) |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 6.2 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 6 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 11 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | -2 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 5 S |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 80 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 2 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 63 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.08 Ом |