FDN359BN, Power MOSFET, N Channel, 30 V, 2.7 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8525600953
- Артикул
- FDN359BN
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- Power MOSFET
- Width
- 1.4mm
- Series
- PowerTrench
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 78 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ON Semi предлагает обширный ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает в себя высоковольтные (>250 В) и низковольтные (<250 В) типы.
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Width | 1.4mm |
| Series | PowerTrench |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | N |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.08 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Rad Hardened | No |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 0.5(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Drain-Source On-Volt | 30(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Особенности | - |
| Continuous Drain Current | 2.7(A) |
| Transistor Configuration | Single |
| Gate-Source Voltage (Max) | '±20(V) |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 5 nC @ 5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 46 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.7 A |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Крутизна характеристики, S | 11 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.026 Ом |