PowerTrench N-Channel MOSFET, 2.7 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 FDN359AN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014489081
- Артикул
- FDN359AN
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 1.4mm
- Series
- PowerTrench
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Tape & Reel(TR)
Цена по запросу
(от 49 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 2,7А, 0,5Вт, SuperSOT-3 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Width | 1.4mm |
| Series | PowerTrench |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | SOT-23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 2.7A, 10V |
| Особенности | TrenchFET |
| Power Dissipation (Max) | 500mW(Ta) |
| Supplier Device Package | SuperSOT-3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 5 nC @ 5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 5V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 75 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.7 A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 480pF @ 10V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2.7A(Ta) |
| Крутизна характеристики, S | 9.5 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 37 мОм/2.7A, 10В |