FDN357N, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 1,9А, 500мВт, SuperSOT-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022609988
- Артикул
- FDN357N
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 1.4mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.05
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 30,54 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полевые транзисторы (FET) в режиме усиления производятся с использованием запатентованной компанией Fairchild теxнологии DMOS с высокой плотностью ячеек.
Технические параметры
| Width | 1.4mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.05 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 4.2 nC @ 5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 600 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.9 A |
| Крутизна характеристики, S | 5 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |