Моя заявка (0)

FDN340P, Power MOSFET, P Channel, 20 V, 2 A, 0.06 ohm, SOT-23, Surface Mount

FDN340P, Power MOSFET, P Channel, 20 V, 2 A, 0.06 ohm, SOT-23, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8069332981
Артикул
FDN340P
Бренд
ON Semiconductor***
RoHS
Details
Type
MOSFET
Brand
ON Semiconductor/Fairchild
Width
1.4 mm
Цена по запросу
(от 70 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -2А, Idm -10А, 0,5Вт

Технические параметры

RoHSDetails
TypeMOSFET
BrandON Semiconductor/Fairchild
Width1.4 mm
Height1.12 mm
Length2.9 mm
SeriesFDN340P
ProductMOSFET Small Signal
Fall Time9 ns
PackagingReel
Rise Time9 ns
TradenamePowerTrench
TechnologySi
Вес, г0.04
Unit Weight0.001058 oz
Channel ModeEnhancement
ManufacturerON Semiconductor
КорпусSOT-23
ConfigurationSingle
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSSOT-3
Part # AliasesFDN340P_NL
Transistor Type1 P-Channel
Product CategoryMOSFET
Number of Channels1 Channel
СтруктураP-Channel
Transistor PolarityP-Channel
Factory Pack Quantity3000
Pd - Power Dissipation500 mW(1/2 W)
Особенности-
Vgs - Gate-Source Voltage8 V
Typical Turn-On Delay Time10 ns
Typical Turn-Off Delay Time27 ns
Id - Continuous Drain Current-2 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Forward Transconductance - Min9 S
Rds On - Drain-Source Resistance60 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage-20 V
Крутизна характеристики, S8
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±8В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.06 Ом

Техническая документация