Моя заявка (0)

FDN340P, Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -2А, Idm -10А, 0,5Вт

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017545417
Артикул
FDN340P
Бренд
ON Semiconductor***
RoHS
Details
Type
MOSFET
Brand
ON Semiconductor/Fairchild
Width
1.4 mm
Цена по запросу
(от 29,50 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -2А, Idm -10А, 0,5Вт

Технические параметры

RoHSDetails
TypeMOSFET
BrandON Semiconductor/Fairchild
Width1.4 mm
Height1.12 mm
Length2.9 mm
SeriesFDN340P
ProductMOSFET Small Signal
Fall Time9 ns
PackagingReel
Rise Time9 ns
TradenamePowerTrench
TechnologySi
Вес, г0.04
Unit Weight0.001058 oz
Channel ModeEnhancement
ManufacturerON Semiconductor
ConfigurationSingle
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSSOT-3
Part # AliasesFDN340P_NL
Transistor Type1 P-Channel
Product CategoryMOSFET
Number of Channels1 Channel
СтруктураMOSFET
Transistor PolarityP-Channel
Factory Pack Quantity3000
Pd - Power Dissipation500 mW(1/2 W)
Особенности-
Vgs - Gate-Source Voltage8 V
Typical Turn-On Delay Time10 ns
Typical Turn-Off Delay Time27 ns
Id - Continuous Drain Current-2 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Forward Transconductance - Min9 S
Rds On - Drain-Source Resistance60 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage-20 V
Крутизна характеристики, S8
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В0.5
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±8В

Техническая документация