FDN339AN, MOSFETs SSOT-3 N-CH 20V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833805
- Артикул
- FDN339AN
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- SuperSOT-3
- Type:
- MOSFET
- Width
- 1.4mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
Цена по запросу
(от 56,01 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Case | SuperSOT-3 |
| Type: | MOSFET |
| Width | 1.4mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | PowerTrench |
| Series: | FDN339AN |
| Mounting | SMD |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 10 ns |
| Rise Time: | 10 ns |
| Technology | PowerTrench® |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 0.03 |
| Gate charge | 10nC |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Package Type | SOT-23 |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 3A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SSOT-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | FDN339AN_NL |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 0.5W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 10 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±8V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 61mΩ |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 20V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 18 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 11 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 35 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 3 A |
| Features of semiconductor devices | logic level |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 29 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 400 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Крутизна характеристики, S | 11 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 339 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8В |