Моя заявка (0)

FDN338P, полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -20 В, -1.6 А, SOT-23

FDN338P, полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -20 В, -1.6 А, SOT-23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8021967877
Артикул
FDN338P
Бренд
JSMicro Semiconductor Co., Ltd
Type
1PCSPChannel
Тип
MOSFET
Вес, г
0.04
Корпус
SOT-23
Цена по запросу
(от 5,20 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

20 В 2,8 А 400 МВт 112mOhm@2.8A,4,5 В 1 В при 250 мкА 1 шт. канальные МОП-транзисторы SOT-23 ROHS

Технические параметры

Type1PCSPChannel
ТипMOSFET
Вес, г0.04
КорпусSOT-23
УпаковкаREEL, 3000 шт.
СтруктураP-Channel
Емкость, пФ405
Power Dissipation (Pd)-
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)-
Drain Source Voltage (Vdss)20V
Способ монтажаповерхностный(SMT)
Input Capacitance (Ciss@Vds)-
Continuous Drain Current (Id)5A
Тип проводимостиP
Заряд затвора, нКл5.5
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)-
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)43mΩ@4.5V, 5A
Крутизна характеристики, S6.5
Диапазон рабочих температур-55…+150 °С
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А-1, 6
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В-20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±8В
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм120

Техническая документация