Моя заявка (0)

FDN336P, Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -1,3А, 500мВт, SuperSOT-3

FDN336P, Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -1,3А, 500мВт, SuperSOT-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8061825713
Артикул
FDN336P
Бренд
ON Semiconductor***
Case
SuperSOT-3
Type:
MOSFET
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FDN336P
Цена по запросу
(от 29 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -1,3А, 500мВт, SuperSOT-3 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

CaseSuperSOT-3
Type:MOSFET
Brand:onsemi/Fairchild
Series:FDN336P
MountingSMD
Product:MOSFET Small Signals
Fall Time:12 ns
Rise Time:12 ns
TechnologyPowerTrench®
Tradename:PowerTrench
Вес, г0.02
Gate charge5nC
Technology:Si
Polarisationunipolar
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Drain current-1.3A
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Kind of channelenhancement
Kind of packagereel, tape
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SSOT-3
Part # Aliases:FDN336P_NL
Transistor Type:1 P-Channel
Power dissipation0.5W
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:5 nC
Type of transistorP-MOSFET
Gate-source voltage±8V
Number of Channels:1 Channel
On-state resistance0.32Ω
Drain-source voltage-20V
Transistor Polarity:P-Channel
Pd - Power Dissipation:500 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +8 V
Typical Turn-On Delay Time:7 ns
Typical Turn-Off Delay Time:16 ns
Id - Continuous Drain Current:1.3 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:4 S
Features of semiconductor deviceslogic level
Rds On - Drain-Source Resistance:200 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация