FDN336P, Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -1,3А, 500мВт, SuperSOT-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002617511
- Артикул
- FDN336P
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- SuperSOT-3
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FDN336P
Цена по запросу
(от 80,66 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -1,3А, 500мВт, SuperSOT-3 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | SuperSOT-3 |
| Type: | MOSFET |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FDN336P |
| Mounting | SMD |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Fall Time: | 12 ns |
| Rise Time: | 12 ns |
| Technology | PowerTrench® |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 0.02 |
| Gate charge | 5nC |
| Technology: | Si |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | -1.3A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhancement |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SSOT-3 |
| Part # Aliases: | FDN336P_NL |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Power dissipation | 0.5W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5 nC |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±8V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 0.32Ω |
| Drain-source voltage | -20V |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 4 S |
| Features of semiconductor devices | logic level |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 200 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Крутизна характеристики, S | 4 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8В |