FDN335N, Транзистор N-MOSFET, полевой, logic level, 20В, 1,7А, 500мВт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017540937
- Артикул
- FDN335N
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- MOSFET
- Width
- 1.4mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series
- PowerTrenchВ®
Цена по запросу
(от 20,73 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Width | 1.4mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | PowerTrenchВ® |
| Series: | FDN335N |
| FET Type | N-Channel |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Packaging | Digi-ReelВ® |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±8V |
| Fall Time: | 8.5 ns |
| Rise Time: | 8.5 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 0.03 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SSOT-3 |
| Part # Aliases: | FDN335N_NL |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250ВµA |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 1.7A, 4.5V |
| Особенности | логические уровни |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Power Dissipation (Max) | 500mW(Ta) |
| Supplier Device Package | SuperSOT-3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 3.5 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 11 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 7 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 70 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.7 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 55 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 310pF @ 10V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 400 mV |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.7A(Ta) |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Крутизна характеристики, S | 7 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 29.8 мОм |